سامسونج تتنج أولى ذواكر DRAM فئة 10 نانو متر مبنية على تقنية ألترا فولت
أعلنت شركة سامسونج الرائدة في صناعة الذواكر عالمياً عن شحنها أول مليون رقاقة ذاكرة 10 نانومتر DDR4 مبنية على تقنية ألترا فولت؛ والتي من شأنها أن تعطي تحسناً ملحوظاً على أداء ذاكرة الوصول العشوائي بشكل ملموس وواقعي.
وتقول الشركة في مدونتها حيث أعلنت عن هذا النجاح أنها وبإنتاج ذاكرة الوصول العشوائي DRAM المبنية على تقنية ألترا فولت EUV، فإنها تبرز مدى إلتزامها بالابتكار الثوري في حلول ذواكر DRAM ودعم عملائها في مجال تكنولوجيا المعلومات حول العالم.
وأضافت سامسونج بأن تقنية EUV ستكون حاضرة في عملية تصنيع الأجيال القادمة من ذواكر DRAM المستقبلية؛ بداية من الفئة التي أعلنت عنها ضمن 10 نانومتر D1a وتلك الأعلى منها فئة 14 نانومتر.
فيما تتوقع الشركة بدء الإنتاج الموسع لذواكر DDR5 و LPDDR5 خلال العام القادم حيث ستضاعف القدرة الإنتاجية وستعزز من تعاونها مع عملائها من رواد تكنولوجيا المعلومات وموردي أشباه الموصلات لزيادة وتحسين المواصفات القياسية في رقاقة الجيل القادم DDR5/LPDDR5 وتوفيرهما في السوق بالسرعة المطلوبة.
المصدر
التدوينة سامسونج تتنج أولى ذواكر DRAM فئة 10 نانو متر مبنية على تقنية ألترا فولت ظهرت أولاً على عالم التقنية.
المصدر عالم التقنية
ليست هناك تعليقات